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功率密度一直是衡量電子器件性能的關(guān)鍵指標(biāo)之一，作為功率半導(dǎo)體設(shè)計企業(yè)，新潔能在MOSFET領(lǐng)域持續(xù)突破，通過創(chuàng)新的結(jié)構(gòu)設(shè)計和制造工藝，實(shí)現(xiàn)了功率密度的顯著提升。本文將圍繞新潔能MOS管的功率密度展開分析，探討其技術(shù)優(yōu)勢、應(yīng)用場景。

一、功率密度的定義與重要性

功率密度是指單位體積或單位面積內(nèi)器件所能處理的功率大小，通常以W/cm3或W/mm2表示。對于功率MOSFET而言，高功率密度意味著在相同封裝尺寸下能夠承載更高的電流和電壓，從而減小系統(tǒng)體積、降低散熱需求并提高能效，這一指標(biāo)在新能源發(fā)電、電動汽車、工業(yè)電源等對空間和效率要求苛刻的領(lǐng)域尤為重要。新潔能通過優(yōu)化超結(jié)結(jié)構(gòu)技術(shù)，在800V和900V高壓MOSFET產(chǎn)品線上實(shí)現(xiàn)了功率密度的突破。

二、技術(shù)實(shí)現(xiàn)路徑

1、超結(jié)結(jié)構(gòu)設(shè)計

新潔能通過在漂移區(qū)交替排列P型和N型柱狀結(jié)構(gòu)，形成電荷平衡效應(yīng)。這種設(shè)計在高壓阻斷時能夠?qū)崿F(xiàn)均勻電場分布，避免傳統(tǒng)平面結(jié)構(gòu)在高電壓下的“單極電場集中”問題。

2、先進(jìn)的制造工藝

為實(shí)現(xiàn)高功率密度，新潔能MOS管采用了多層外延生長與深槽刻蝕填充技術(shù)。以900V產(chǎn)品為例，其通過多次外延沉積和精確的離子注入控制，形成深度超過50μm的超結(jié)結(jié)構(gòu)，確保高壓下的可靠性。此外，晶圓減薄技術(shù)和銅引線鍵合工藝的引入，進(jìn)一步降低了封裝熱阻，使器件在高溫環(huán)境下仍能維持高功率輸出。

3、封裝優(yōu)化

新潔能的TO-247、TO-263等封裝型號通過內(nèi)部布局優(yōu)化，降低了寄生電感和熱阻。配合低熱阻的DBC（直接鍵合銅）基板，功率密度在持續(xù)工作時仍能保持穩(wěn)定。

新潔能MOS管通過超結(jié)技術(shù)創(chuàng)新和工藝精進(jìn)，在高功率密度MOSFET領(lǐng)域確立了競爭優(yōu)勢。不僅滿足了當(dāng)前市場對高效、緊湊型功率器件的需求，也為下一代能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)提供了可靠的基礎(chǔ)元件。