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MOS損壞主要原因：

過流——持續(xù)大電流或瞬間超大電流引起的結(jié)溫過高而燒毀。

過壓——源漏過壓擊穿、源柵極過壓擊穿。

靜電——靜電擊穿，CMOS電路都怕靜電。

防止MOS燒毀

MOS問題遠(yuǎn)沒這么簡單，麻煩在它的柵極和源級間，源級和漏級間，柵極和漏級間內(nèi)部都有等效電容。所以給柵極電壓的過程就是給電容充電的過程（電容電壓不能突變），而MOS源級和漏級間由截止到導(dǎo)通的開通過程受柵極電容的充電過程制約。

然而，這三個等效電容是構(gòu)成串并聯(lián)組合關(guān)系，它們相互影響，并不是獨(dú)立的，如果獨(dú)立的就很簡單了。

其中一個關(guān)鍵電容就是柵極和漏級間的電容Cgd，這個電容業(yè)界稱為米勒電容。這個電容不是恒定的，隨柵極和漏級間電壓變化而迅速變化。這個米勒電容是柵極和源級電容充電的絆腳石，因?yàn)闁艠O給柵-源電容Cgs充電達(dá)到一個平臺后，柵極的充電電流必須給米勒電容Cgd充電。這時(shí)柵極和源級間電壓不再升高，達(dá)到一個平臺，這個是米勒平臺（米勒平臺就是給Cgd充電的過程），米勒平臺大家首先想到的麻煩就是米勒振蕩。（即，柵極先給Cgs充電，到達(dá)一定平臺后再給Cgd充電）。

因?yàn)檫@個時(shí)候源級和漏級間電壓迅速變化，內(nèi)部電容相應(yīng)迅速充放電，這些電流脈沖會導(dǎo)致MOS寄生電感產(chǎn)生很大感抗。這里面就有電容、電感、電阻組成震蕩電路（能形成2個回路），并且電流脈沖越強(qiáng)頻率越高振蕩幅度越大，所以zui

關(guān)鍵的問題就是這個米勒平臺如何過渡。

Gs極加電容，減慢mos管導(dǎo)通時(shí)間，有助于減小米勒振蕩。防止MOS管燒毀。

過快的充電會導(dǎo)致激烈的米勒振蕩，但過慢的充電雖減小了振蕩，但會延長開關(guān)從而增加開關(guān)損耗。MOS開通過程源級和漏級間等效電阻相當(dāng)于從無窮大電阻到阻值很小的導(dǎo)通內(nèi)阻（導(dǎo)通內(nèi)阻一般低壓MOS只有幾毫歐姆）的一個轉(zhuǎn)變過程。