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電子、電器、家電產品消費制造時，需求用到很多不同類型的電子元件，如新潔能MOS管、電阻、DC-DC電源芯片等，每種電子元件都有它不同的功用作用，當然，這些電子元件用久了，也防止不了會有一些問題，今天來聊聊其中一種電子元件，接下來看看新潔能MOS管為什么會發熱，有哪些什么緣由。

　　1、減少運用頻率

　　這也是用戶在調試過程中常見的現象。頻率降落主要是由兩個方面形成的。輸入電壓與負載電壓之比小，系統干擾大。關于前一種狀況，負載電壓越高，效率越高，但要留意負載電壓不要設置得太高。假如是后者，您能夠嘗試以下辦法：a、將小電流設置得較小。b、更明晰地布置關鍵途徑，特別是關于意義而言。c、選擇較小的電感器或運用具有閉合磁路的電感器。d、添加 RC 低通濾波器，這個效果有點不好，C、的分歧性不好，偏向有點大，但是關于打光來說曾經足夠好了。無論如何，降低頻率沒有益處，只要害處，所以這個問題需求處理。

　　2、芯片發熱

　　內置功率調制器的高壓驅動芯片，假如芯片耗費的電流為2mA，給芯片施加300V的電壓，則芯片的功耗為0.6W，芯片自然會發熱。驅動芯片的大電流由驅動功率MOS管的功耗決議。簡單的計算公式是I=cvf。思索到充電帶來的電阻的益處，實踐I=2cvf。其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管的電導率。由于柵極電壓開啟，我們需求想方法降低c、v、f來降低芯片的功耗。假如c、v、f無法改動，就想方法將芯片的功耗分配給片外設備，留意不要產生額外的功耗。簡單來說，就是思索改善散熱。

　　3、電感或變壓器的選擇

　　同樣的驅動電路，用A制造的電感還好，但用B制造的電感電流較小。在這種狀況下，請查看電感電流波形。有些工程師沒有認識到這種現象，直接調整檢測電阻或工作頻率來到達所需的電流，這會嚴重影響 LED 的運用壽命。因而，設計前需求停止合理的計算。假如理論計算參數與調試參數相差較大，應思索能否降低頻率以及變壓器能否飽和。當變壓器飽和時，L變小，由于傳輸延遲招致的峰值電流增加疾速增加，LED峰值電流相應增加。假定均勻電流堅持不變，能夠簡單地察看光衰。

　　4、功率管發熱

　　功率管的功耗可分為兩局部：開關損耗和導通損耗。請留意，在大多數狀況下，特別是在 LED 電源供電應用中，開關損壞遠大于傳導損耗。開關損耗不只與芯片的驅動才能和工作頻率有關，還與功率管的CGD和CGS有關。因而，功率管發熱能夠從以下幾個角度來處理。A、MOS功率管內阻越小，CGS和CGD電容越大，因而不能僅依據單側導通電阻來選擇MOS功率管，這就是您選擇功率管時所需求的。B.剩下的是頻率和芯片驅動才能。我們在這里只討論頻率效應。頻率也與傳導損耗成正比，所以假如你的功率管發熱，你首先應該思索你的頻率選擇能否太高。想方法降低頻率！ 但是，隨著頻率的降低，峰值電流會增加，或者為了取得相同的負載才能而需求加大電感器，因而需求留意電感器可能會進入飽和區。假如電感的飽和電流足夠高，能夠思索從CCM（連續電流形式）改為DCM（斷續電流形式），這需求增加負載電容。

　　綜上所述，能夠理解到新潔能MOS管發熱的緣由有4個，有芯片發熱、功率管發熱、減少運用頻率、電感方面的緣由 。